2024年開年,存儲芯片延續(xù)去年的反彈趨勢,迎來新一輪漲價。三星、美光等全球頭部存儲芯片企業(yè),日前正規(guī)劃在2024年一季度將DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片價格上漲15%至20%。
集邦咨詢分析師吳雅婷在接受《證券日報》記者采訪時表示,根據(jù)最新研究結果,預計2024年一季度全球市場DRAM合約價整體漲幅為13%至18%,延續(xù)2023年第四季度的上漲態(tài)勢。
存儲產(chǎn)品價格于2023年見底回升。國聯(lián)證券分析師熊軍在研報中表示:“典型DRAM顆粒現(xiàn)貨平均價于2023年9月份見底,典型DRAM內(nèi)存條渠道平均價于2023年8月份見底,典型NAND Flash(閃存存儲器)合約平均價于2023年4月份見底。”
2023年四季度,DRAM和NAND Flash合約價均實現(xiàn)13%至18%的漲幅,今年一季度延續(xù)這一漲勢。
“上游存儲原廠減產(chǎn)后,庫存快速去化,疊加原廠端致力于提升獲利能力,導致價格有較大漲幅。”集邦咨詢分析師王豫琪向《證券日報》記者表示,不過,終端銷售情況仍有待觀察。
江海證券分析師屈雄峰表示,隨著下游傳統(tǒng)消費電子需求的逐漸復蘇與服務器需求的穩(wěn)定增長,存儲芯片需求也將迎來相應增長。同時,漲價趨勢將拉動買家與經(jīng)銷商需求,未來存儲芯片漲價或?qū)⒊掷m(xù)一段時間。
半導體產(chǎn)業(yè)是典型的強周期性行業(yè),4年至5年完成一輪周期。世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示,存儲芯片將引領2024年全球半導體市場成長,銷售額同比將躍增44.8%。
北京社科院副研究員王鵬告訴《證券日報》記者:“存儲芯片在半導體產(chǎn)品中率先反彈,且反彈力度較大,可以視為半導體行業(yè)漸暖的一個信號。存儲芯片是半導體市場中的重要組成部分,其價格上漲有助于帶動其他品類的半導體產(chǎn)品進入上漲通道。”
隨著存儲芯片價格上漲,產(chǎn)業(yè)鏈上市公司業(yè)績改善受到市場關注。兆易創(chuàng)新在2023年第三季度已經(jīng)實現(xiàn)了毛利率的環(huán)比提升。東方證券研報表示,毛利率階段性底部已過。隨著庫存去化,兆易創(chuàng)新產(chǎn)品成本結構有望得到進一步改善。
佰維存儲方面表示,公司2023年9月份單月營收已接近5億元,第四季度業(yè)績進一步回升向好,毛利率迅速提升。從在手訂單情況看,預計2024年第一季度將會延續(xù)這樣的態(tài)勢。