為了防止中國追趕，美國隔三差五發(fā)出禁令，阻止先進的半導體技術與產(chǎn)品進入中國。

他們也許擔心中國一旦發(fā)展起來，會顛覆原有的競爭格局，所以不按套路出牌。

縱然有些人并不希望這個世界變得更好，但是他們無法阻擋中國前進的步伐。

自研之路，困難重重。

但，問題不大。

美國擔心不無道理，中國成熟芯片在全球的市占率已經(jīng)相當夸張。

以成熟制程為主的中國芯片產(chǎn)業(yè)，在2024年表現(xiàn)出非常好的成長性，不比新能源汽車、鋰電池和光伏差。

在占全球需求大頭的成熟制程領域，中國的產(chǎn)能不知不覺接近重要閾值。

據(jù)《南華早報》報道，2024年第一季度中國芯片總產(chǎn)量同比飆升40%，達到了981億顆，幾乎是2019年同期的三倍。

海關總署的數(shù)據(jù)顯示，2024年前四個月，中國芯片出口額達到3552.4億元人民幣，同比增長23.5%，創(chuàng)下歷史新高。

2018年前四個月，中國集成電路出口396.5億顆，金額675.8億人民幣；2024年前四個月，中國集成電路的數(shù)量漲到886.8億顆，出口金額上升到3552.4億人民幣。2018年前四個月，出口一顆芯片平均價值大概是1.7元；而2024年前四個月，單顆芯片的價值上升為4元。

6年時間，集成電路出口數(shù)量漲了2.23倍，金額漲了5.25倍。中國芯片產(chǎn)業(yè)在數(shù)量、金額、單位價值上也都有了質的飛躍。

這是明顯的產(chǎn)業(yè)升級，量價齊升。其中細分領域亦有不少全球領先的行業(yè)和公司。

6月12日消息，根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，2024年第一季全球前十大晶圓代工產(chǎn)值季減4.3%至292億美元。

從排名來看，TOP5代工廠變化明顯，中芯國際受益于消費性庫存回補訂單及國產(chǎn)化趨勢，第一季度排名首次超過格芯、聯(lián)電，躍升至第三名，市場份額達到5.7%，營收季增4.3%至17.5億美元，營運表現(xiàn)優(yōu)于其它對手。

根據(jù)NE時代統(tǒng)計，在功率半導體行業(yè)，2023年1-8 月我國新能源乘用車功率模塊國產(chǎn)供應占比超過 59%。隨著國產(chǎn)功率模塊搭載量的大幅提升，國產(chǎn)功率模塊在全球新能源汽車的市場份額達到了37%。

據(jù)Yole數(shù)據(jù)，在CIS領域，2022年韋爾股份在手機行業(yè)中的市占率為11%，僅次于索尼和三星。

根據(jù)ICV TAnk數(shù)據(jù)，在全球汽車CIS市場中，2024年韋爾的市占率已經(jīng)達到43%，超越安森美成為全球第一。

搭上快充的順風車，在電荷泵充電管理芯片這個細分領域，南芯科技發(fā)展迅速，幾年時間就做到全球第一，2021年24%的市占率，領先全球模擬巨頭TI十個百分點。

在內(nèi)存接口芯片領域，瀾起科技的份額常年維持在40%以上，一家獨大。

在中國NOA智能駕駛芯片領域，地平線的占比是49.05%，比英偉達還高。

這幾年中國半導體產(chǎn)業(yè)確實獲得了一些不錯的成績。

據(jù)TrendForce集邦咨詢評估，2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比已經(jīng)達到29%。

半導體研究機構Knometa Research則預計，到2026年，中國大陸的IC晶圓廠產(chǎn)能將激增至全球第一，具有里程碑意義。

據(jù)CSIS，按照現(xiàn)在的擴產(chǎn)情況，到2030年中國在成熟制程的產(chǎn)能占比可能會達到50%。

所以，就連《芯片戰(zhàn)爭》作者米勒也說：中國成熟制程芯片不停擴產(chǎn)，讓美國感到恐慌。

麥卡錫的研究報告《建設中的新世界：中國與半導體》更是把未來世界的晶圓代工廠劃分為，中國和其他。

海外部分國家擔心，中國對成熟節(jié)點建設的補貼會對全球半導體市場造成負面影響，不少業(yè)內(nèi)人士擔心產(chǎn)能過剩。

不管這些擔心，中國企業(yè)在迅速擴大產(chǎn)能，很可能成為中國與發(fā)達經(jīng)濟體未來貿(mào)易爭端的又一前奏。

美國政府就算各種未雨綢繆，政策轄制，可終究難敵大勢。

自從2018年7月中國大陸產(chǎn)半導體出口至美國需加征25%的關稅以來，美國從中國進口半導體及相關產(chǎn)品大幅下降。但在終端消費領域，美國市場占有率越來越高，這些產(chǎn)品里面所含有的中國本土芯片占比也在日益增加。

不以單顆產(chǎn)品，而是集成到終端消費品里進行出口，這方面美國很難有辦法進行轄制。

中國成熟制程芯片不停擴產(chǎn)，注定讓美國感到恐慌。

28nm 是成熟與先進的分水嶺，28nm 以上算先進，以下是成熟。

如上海微電子的國產(chǎn)28nm光刻機，已達到了第四代光源水準，這對于提升國內(nèi)中端芯片制造能力具有重要意義。

中國新能源汽車產(chǎn)銷量目前在全球占比六成左右，96%以上都是28nm的成熟制程芯片。換言之，如果中國具備越來越強的成熟制程生產(chǎn)能力，包括新能源在內(nèi)的一般家用消費品，可以全面國產(chǎn)。

國產(chǎn)芯片在制程工藝方面取得了顯著進展。例如，中國芯片制造商如華為海思、中芯國際（SMIC）在14納米工藝技術上取得重要突破，并預計在規(guī)劃的時間內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)。

當Mate60 以驚人的性能征服了市場，很多人驚訝地發(fā)現(xiàn)，這款手機的芯片竟然只用了7nm制程。半導體行業(yè)觀察機構 TechInsights 副主席 Dan Hutcheson 在評價華為Mate60 Pro 時用到“令人驚嘆”“始料未及”等詞匯。

雖然臺積電早已宣布3nm 芯片投入量產(chǎn)，正摩拳擦掌準備攻克2nm 和1.4nm 的技術難關。然而，在華為Mate60面前，這些所謂的先進技術似乎顯得蒼白無力。芯片的性能并不完全取決于制程的大小。

相反，優(yōu)化設計和提升良品率同樣重要。而臺積電過于追求制程的更新?lián)Q代，卻忽視了這些基礎性的工作。這就像是一場沒有終點的馬拉松，臺積電跑得越快，越容易忽略沿途的風景，最終可能只是原地踏步。

所謂的先進制程，或許不過是一場自我陶醉的“內(nèi)卷”罷了。

盡管面臨光刻機禁令，中國半導體產(chǎn)業(yè)仍在努力突破技術瓶頸，華為宣布，自主研發(fā)的光刻機問世，也標志著華為在芯片制造領域的突破成果開始顯現(xiàn)。

與此同時，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的其他企業(yè)也在各自的領域取得了令人矚目的成就。

在國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的版圖中，聯(lián)發(fā)科的天璣9300+芯片無疑是一顆璀璨的新星。天璣9300+基于先進的4nm工藝，配備了全大核CPU架構，其性能在安卓陣營中堪稱佼佼者。

龍芯等企業(yè)在芯片架構上獲得突破，如龍芯2B的成功流片，標志著國內(nèi)在CPU設計上的自主創(chuàng)新能力增強。

科大國盾量子技術股份有限公司獲得了504比特超導量子計算芯片“驍鴻”，刷新了國內(nèi)超導量子計算芯片的記錄。

清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱團隊研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學習（機器學習能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體芯片。該芯片在支持片上學習的憶阻器存算一體芯片領域取得重大突破，有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設備等領域的發(fā)展。

海特高新在高端核心裝備研制與保障、高性能集成電路設計與制造等領域的成就，彰顯了其在國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)中的引領作用。

紫光集團等國內(nèi)企業(yè)在DRAM和NAND Flash存儲芯片領域取得進展，減少了對外部供應的依賴。

西湖大學研發(fā)的冰刻技術簡化了芯片制造流程，提高了生產(chǎn)效率，為芯片制造提供了創(chuàng)新路徑。

在硅片、光刻膠、特種氣體等關鍵材料以及光刻機、刻蝕機等核心設備上，國內(nèi)企業(yè)逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代，減少對外依賴。

長電科技、通富微電等公司在先進封裝技術上有所突破，如2.5D/3D封裝、晶圓級封裝等，提高了芯片的集成度和性能。

國產(chǎn)芯片企業(yè)開始采用開源的RISC-V架構，降低了研發(fā)成本，加速了產(chǎn)品上市周期。

很多半導體廠商都在尋找新賽道、新工藝和新材料，就是想要繞開傳統(tǒng)硅芯，開啟全新的芯片時代，搶先搶占市場，比如光子芯片、量子芯片、玻璃芯片等等，都被寄予厚望。

中國中央電視臺重磅披露，我國的芯片研發(fā)團隊成功研制出第三代“玻璃穿孔技術”，僅指甲蓋大小的新型玻璃晶圓，就可打上100萬個微孔，再串聯(lián)成復雜的集成電路。

仕佳光子，作為國內(nèi)先進的光電子核心芯片供應商，其PLC分路器芯片和AWG芯片等產(chǎn)品在光通信領域占據(jù)重要地位。仕佳光子的持續(xù)創(chuàng)新和技術研發(fā)，為光通信網(wǎng)絡的建設和升級提供了強有力的支持。

中國工程院院士吳漢明和毛軍發(fā)都強調了后摩爾時代中國在芯片封裝技術方面的機遇。通過異構集成電路，即在同一個3D系統(tǒng)級封裝(SiP)中集成不同工藝的硅和非硅器件，中國有望在芯片產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)突破，逐步追趕全球行業(yè)領先者。

當傳統(tǒng)硅基芯片的性能提升面臨物理極限時，鉭酸鋰光子芯片的出現(xiàn)，為芯片性能的進一步提升打開了新的大門。中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所科研團隊成功開發(fā)出可批量制造的新型“光學硅”芯片，標志著中國在光電芯片領域的研究已達到國際領先水平。這種新型芯片以其極低的光學損耗和高效的電光轉換特性，有望在通信、量子計算、光通信等多個領域發(fā)揮重要作用。

這些企業(yè)的技術創(chuàng)新和市場表現(xiàn)，不僅提升了國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的整體實力，也為全球芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻了中國智慧和中國方案。隨著技術的不斷進步和市場的持續(xù)擴大，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的未來充滿了無限的可能。

國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)正處于一個關鍵的發(fā)展節(jié)點。

在這個充滿變數(shù)和挑戰(zhàn)的領域里，沒有永遠的王者，只有不斷進取的勇者。

國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展并非一帆風順。國產(chǎn)替代速度驚人，可還落于人后。

一些細分領域材料實現(xiàn)了本土化替代。例如我國晶圓制造所用的硅材料、晶圓蓋片等原材料已全部實現(xiàn)自給，一些后端封測材料的本土化率也較高，這為我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了一定支撐。但目前我國在一些高端關鍵材料上的自給率仍較低。

缺陷掃描儀，CD量測等線上不可或缺的精密光學設備和用于失效分析的SIMS，F(xiàn)IB等設備也是完全依賴KLA等歐美企業(yè)的。

外部越制裁，中國越必須擁有自主主導能力。

到2022年，中國半導體市場占全球的三分之一。如果中國不能滿足自身的需求，后果是災難性的。優(yōu)先國內(nèi)市場，也是目前多數(shù)半導體企業(yè)的第一原則。

面對國際技術封鎖和市場競爭的雙重壓力，中國芯片企業(yè)需要不斷提升自身的技術水平和創(chuàng)新能力。

國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)將如何進一步發(fā)展，不僅關系到中國在全球科技競爭中的地位，也將深刻影響著全球芯片產(chǎn)業(yè)的格局。

盡管國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)在起步較晚、缺乏技術積累的背景下經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)，但在國家層面的產(chǎn)業(yè)策略和市場優(yōu)勢的推動下，已取得了一系列可喜的成果。

從存算一體芯片的創(chuàng)新性研究，到異構集成電路技術的突破，再到華為海思等企業(yè)的技術進步，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)正逐漸展現(xiàn)出強大的發(fā)展?jié)摿褪袌龈偁幜Α?/span>