在生成式AI熱潮的帶動(dòng)下,包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光、日月光等各行業(yè)芯片大廠均積極備戰(zhàn),擴(kuò)大資本支出。這不僅是時(shí)間與技術(shù)的賽跑,更是一場(chǎng)財(cái)力與實(shí)力的角逐。
晶圓代工邁入2.0時(shí)代,代工廠的比拼更激烈
2021年,英特爾提出了IDM2.0的戰(zhàn)略,其戰(zhàn)略核心為英特爾晶圓代工服務(wù)(IFS),圍繞這一戰(zhàn)略,英特爾大象轉(zhuǎn)身,進(jìn)行了一系列的重大投資,包括建設(shè)新的晶圓廠和升級(jí)現(xiàn)有設(shè)施。
而臺(tái)積電在2024年第二季度收益電話會(huì)議上,也提出了“晶圓代工2.0”概念。按照臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官魏哲家的意思,他們擴(kuò)展了晶圓代工行業(yè)的原始定義,進(jìn)入“晶圓代工2.0”時(shí)代,晶圓代工將不僅包括傳統(tǒng)意義上的代工,也包括封裝、測(cè)試、掩模制作等,以及所有除存儲(chǔ)器制造之外的IDM。魏哲家還特意強(qiáng)調(diào)了,臺(tái)積電將專注于最先進(jìn)的后端技術(shù),也就是先進(jìn)封裝,幫助客戶實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先產(chǎn)品。
無(wú)論是“IDM2.0”還是“晶圓代工2.0”,兩者都有異曲同工的意思,都體現(xiàn)了晶圓代工行業(yè)向更多領(lǐng)域延伸的趨勢(shì)。同時(shí)這也就意味著需要投入更大的資本支出。
據(jù)TrendForce報(bào)道,英特爾計(jì)劃2024年增加資本支出2%,達(dá)262億美元。
在2024年第二季度收益電話會(huì)議上,臺(tái)積電宣布,2024年資本支出預(yù)計(jì)為300億至320億美元,高于此前預(yù)期的280億至320億美元的支出下限。其中,70%至80%的資本預(yù)算將用于先進(jìn)工藝技術(shù),約10%至20%將用于專業(yè)技術(shù),約10%將用于先進(jìn)封裝測(cè)試、掩模制作及其他用途。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家表示,資本支出增加的主要原因是看到了強(qiáng)勁的結(jié)構(gòu)性AI相關(guān)需求持續(xù)增長(zhǎng)。2024年第二季度臺(tái)積電營(yíng)收達(dá)到208億美元,環(huán)比增長(zhǎng)13.6%。其中,3納米工藝技術(shù)貢獻(xiàn)了晶圓收入的15%,而5納米和7納米分別占35%和17%。從平臺(tái)收入來(lái)看,高性能計(jì)算(HPC)環(huán)比增長(zhǎng)28%,占第二季度收入的52%,首次超過(guò)50%。臺(tái)積電預(yù)計(jì),2024年除存儲(chǔ)器外的整體半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)約10%。
2024Q2臺(tái)積電營(yíng)收數(shù)據(jù)一覽(圖源:臺(tái)積電財(cái)報(bào))
2024Q2臺(tái)積電營(yíng)收按平臺(tái)分(圖源:臺(tái)積電財(cái)報(bào))
為了滿足長(zhǎng)期產(chǎn)能需求,臺(tái)積電董事會(huì)于2024年6月5日通過(guò)了一系列擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)決議,批準(zhǔn)資本撥款約173.5620億美元,用于安裝及升級(jí)先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)能、先進(jìn)封裝、成熟及/或特殊技術(shù)產(chǎn)能,以及晶圓廠建設(shè)和設(shè)施系統(tǒng)安裝等。
2024年6月5日,臺(tái)積電董事會(huì)通過(guò)了一系列的擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)決議,為滿足基于市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)及技術(shù)發(fā)展路線圖的長(zhǎng)期產(chǎn)能計(jì)劃,董事會(huì)批準(zhǔn)資本撥款約173.5620億美元,用于以下用途:1)安裝及升級(jí)先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)能;2)安裝及升級(jí)先進(jìn)封裝、成熟及/或特殊技術(shù)產(chǎn)能;3) 晶圓廠建設(shè),以及安裝晶圓廠設(shè)施系統(tǒng)。
而鑒于對(duì)2納米的持續(xù)投資,2025年其資本支出可望達(dá)320億美元至360億美元區(qū)間,為歷年次高,年增12.5%至14.3%。2納米將如期在2025年進(jìn)入量產(chǎn),據(jù)悉,客戶對(duì)臺(tái)積電2nm工藝產(chǎn)能需求超出預(yù)期,除了蘋果鎖定首批臺(tái)積電2nm產(chǎn)能外,非蘋果客戶也在積極布局先進(jìn)工藝。
在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,尤其是CoWos封裝,臺(tái)積電指出目前還無(wú)法實(shí)現(xiàn)供需平衡,并且在持續(xù)增加產(chǎn)能,2025年的計(jì)劃總產(chǎn)能可能增加近一倍。臺(tái)積電希望在2025年或2026年的某個(gè)時(shí)候能夠達(dá)到平衡。
HBM:SK海力士、三星和美光群雄逐鹿
早在2013年12月,SK海力士發(fā)布了全球首款基于TSV的HBM。但是直到ChatGPT大語(yǔ)言模型的爆火,才徹底將HBM推上時(shí)代的浪尖。這也讓SK海力士一騎絕塵,登上 HBM 行業(yè)的頂峰。
SK海力士的HBM發(fā)展歷史(圖源:SK海力士)
如今,HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。除了SK海力士外,三星和美光緊隨其后。隨著HBM3E的陸續(xù)量產(chǎn)以及下一代HBM4的研發(fā),三家巨頭正在展開激烈角逐。為了在接下來(lái)的HBM大戰(zhàn)中取得優(yōu)勢(shì),各家廠商均大幅增加了資本投入。
存儲(chǔ)三巨頭的HBM研發(fā)進(jìn)度表(圖源:TrendForce)
SK海力士:2028年投資748億美元
根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),2023年三大原始HBM制造商的市場(chǎng)份額如下:SK Hynix和三星均在46-49%左右,而美光約為4-6%。為了保持市場(chǎng)領(lǐng)先地位,SK海力士正在不斷加大投資。
6月底,SK海力士母公司SK集團(tuán)在一份聲明中表示,計(jì)劃在2028年前向SK海力士投資103萬(wàn)億韓元(約合748億美元),大約80%的投資,即82萬(wàn)億韓元,將用于投資HBM芯片。
SK海力士今年已經(jīng)宣布了一系列投資計(jì)劃,包括在印第安納州建設(shè)一個(gè)先進(jìn)封裝工廠和人工智能產(chǎn)品研究中心,投資額為38.7億美元。另外,SK海力士正著手建設(shè)在建的清州M15X晶圓廠,目標(biāo)是明年下半年開始量產(chǎn),該晶圓廠投資超過(guò) 20 萬(wàn)億韓元(146 億美元)。該公司還計(jì)劃于明年3月開始建設(shè)龍仁半導(dǎo)體集群第一座晶圓廠,并按計(jì)劃于2027年5月竣工。
今年4月初,SK海力士還與臺(tái)積電簽署協(xié)議,開發(fā)和生產(chǎn)下一代 HBM,并通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)增強(qiáng)邏輯和HBM的集成。通過(guò)此次合作,SK 海力士計(jì)劃繼續(xù)開發(fā) HBM4(即 HBM 系列的第六代產(chǎn)品),計(jì)劃于 2026 年開始生產(chǎn)。
在內(nèi)存芯片制造商中,SK 海力士是 AI 應(yīng)用爆炸式增長(zhǎng)的最大受益者。2024年第二季度SK海力士實(shí)現(xiàn)營(yíng)收16.4233萬(wàn)億韓元,創(chuàng)歷史新高,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)5.4685萬(wàn)億韓元,凈利潤(rùn)4.12萬(wàn)億韓元。季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)更是創(chuàng)下自2018年以來(lái)新突破,繼半導(dǎo)體超級(jí)熱潮時(shí)期的2018年第二季度(5.5739萬(wàn)億韓元)和第三季度(6.4724萬(wàn)億韓元)后,6年來(lái)首次突破5萬(wàn)億韓元。
展望未來(lái),SK海力士從今年3月起開始量產(chǎn)的HBM3E、服務(wù)器用DRAM等高附加值產(chǎn)品比重不斷增加,其中HBM銷量環(huán)比增長(zhǎng)80%以上,同比則增長(zhǎng)250%以上,將繼續(xù)帶動(dòng)公司業(yè)績(jī)改善。此外,SK海力士預(yù)測(cè),下半年AI服務(wù)器內(nèi)存需求將繼續(xù)上升,隨著支持On-Device AI的新型PC和移動(dòng)產(chǎn)品上市,高性能內(nèi)存產(chǎn)品的銷量也將增加。該公司還預(yù)計(jì)通用內(nèi)存產(chǎn)品市場(chǎng)也將呈現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
三星:HBM投資增加2.5倍
在今年初的CES2024上,三星美國(guó)芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Han Jin-man表示:“盡管市場(chǎng)環(huán)境不利,三星電子今年仍將HBM投資增加了2.5 倍,明年也將保持類似水平。“并說(shuō),今年應(yīng)該是為2025年需求超過(guò)供應(yīng)做準(zhǔn)備的一年。
在三家中,三星的HBM步伐略顯慢了。今年2月份,三星宣布開發(fā)出業(yè)界首款12堆棧 HBM3E DRAM HBM3E 12H。據(jù)韓媒報(bào)道,三星已與AMD達(dá)成協(xié)議,供應(yīng)價(jià)值4萬(wàn)億韓元(約 29.1 億美元)的HBM3E。7月24日,據(jù)路透社引述知情人士信息報(bào)道,三星的HBM3芯片已獲得英偉達(dá)批準(zhǔn),但是只能用于不太復(fù)雜H20,也就是專為中國(guó)市場(chǎng)打造的定制芯片。為了在HBM上加快腳步,三星還特意組建了新HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì),專注于HBM4.
在投資上,三星在美國(guó)的投資較大。美國(guó)商務(wù)部(DOC)與三星電子于4月15日簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄(PMT),根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》提供高達(dá)64億美元的直接資助。三星預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年在德克薩斯州中部投資超過(guò)400億美元,包括HBM和2.5D封裝產(chǎn)能。
而據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱,三星電子公司計(jì)劃向韓國(guó)開發(fā)銀行申請(qǐng)高達(dá)5萬(wàn)億韓元(約合36億美元)的貸款,用于其在韓國(guó)及海外建設(shè)更多芯片生產(chǎn)設(shè)施的項(xiàng)目。多年來(lái),三星一直未借款運(yùn)作公司,但在AI時(shí)代的激烈競(jìng)爭(zhēng)下,三星在內(nèi)存和代工領(lǐng)域都有勁敵,可能這也是三星借款的一大原因。如果達(dá)成協(xié)議,這將是三星二十年來(lái)首次大規(guī)模借款。
美光:到2030年投資300億美元
據(jù)路透社、英為財(cái)情等全球新聞媒體報(bào)道,美光首席財(cái)務(wù)官M(fèi)att Murphy于5月21日表示,公司2024年的資本支出預(yù)測(cè)預(yù)計(jì)將達(dá)到約80億美元,高于之前估計(jì)的75億美元。2024財(cái)年第四季度,美光將花費(fèi)約30億美元用于晶圓廠建設(shè)和新晶圓廠設(shè)備(WFE)。
這一增長(zhǎng)主要?dú)w因于對(duì)高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的投資。2024年2月26日,美光開始量產(chǎn)HBM3E,美光的 24GB 8H HBM3E將用于英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU,該 GPU將于 2024年第二季度開始出貨。
美光CEO桑杰·梅赫羅特拉在3月20日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,今年公司HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能已經(jīng)全部分配,明年的大部分產(chǎn)能也已預(yù)定完畢,預(yù)計(jì)HBM產(chǎn)品將在本財(cái)年為美光帶來(lái)數(shù)億美元的收入。
美光首席運(yùn)營(yíng)官 Manish Bhatia 表示,HBM 業(yè)務(wù)規(guī)模預(yù)計(jì)將在 2025 財(cái)年擴(kuò)大到數(shù)十億美元。2025財(cái)年,美光計(jì)劃大幅增加資本支出,目標(biāo)是占營(yíng)收的30%,約120億美元。
而從更長(zhǎng)遠(yuǎn)的投資來(lái)看,美光公司計(jì)劃到 2030年投資約500億美元總資本支出。2024 年 4月25日,美光獲得了61億美元 CHIPS撥款,這些撥款將支持這500億美元的總支出。美光計(jì)劃在未來(lái) 20 多年內(nèi),在愛(ài)達(dá)荷州博伊西建造一座尖端內(nèi)存制造工廠,并在紐約州克萊建造兩座尖端內(nèi)存制造工廠。美光于 2023 年 10 月開始建設(shè)博伊西晶圓廠,這座晶圓廠預(yù)計(jì)將于 2025 年開始建設(shè),并于 2028 年投入生產(chǎn)。
Yole:2024年先進(jìn)封裝投資約115億美元
根據(jù)BCG analysis的研究,先進(jìn)封裝約占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的8%,預(yù)計(jì)到2030年將翻一番,達(dá)到 960 億美元以上,超過(guò)芯片行業(yè)的其他部分。雖然目前,智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品主導(dǎo)著先進(jìn)封裝應(yīng)用,但人工智能領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展將推動(dòng)未來(lái)的增長(zhǎng)。人工智能需要計(jì)算和內(nèi)存元件之間快速的數(shù)據(jù)交換,這需要通過(guò)2.5D和3D封裝實(shí)現(xiàn)。
Yole intelligence也指出,先進(jìn)封裝市場(chǎng)受到 HPC 和生成式 AI 大趨勢(shì)的強(qiáng)烈推動(dòng),到 2029年將達(dá)到891億美元。在所有封裝平臺(tái)中,2.5D/3D 封裝的增長(zhǎng)速度最快。數(shù)據(jù)中心 AI處理器的2.5D/3D出貨量預(yù)計(jì)將強(qiáng)勁增長(zhǎng),2023-2029年復(fù)合年增長(zhǎng)率為23%。包括臺(tái)積電、英特爾、三星、ASE、Amkor、JCET等OSAT廠商在內(nèi)的行業(yè)巨頭,都在大力投資高端先進(jìn)封裝產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2024年將為其先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)投資約115億美元。
臺(tái)積電、英特爾和三星已經(jīng)牢牢把握了高端封裝市場(chǎng),傳統(tǒng)的OSAT廠商必須仔細(xì)評(píng)估自己在市場(chǎng)中的最佳定位,盡管市場(chǎng)正在發(fā)展,但在一定程度上正在向價(jià)值鏈的其他部分轉(zhuǎn)移。在新的封裝世界中,OSAT 需要在簡(jiǎn)單的引線鍵合和最先進(jìn)的 2.5D/3D 封裝之間確定自己最有利的位置。
日月光與臺(tái)積電的合作密切,日月光也是CoWoS封裝高需求的受益者。可以看到,今年,日月光的投資擴(kuò)張動(dòng)作不斷。法人預(yù)估,今年日月光投控資本支出可超過(guò)21億美元,有機(jī)會(huì)達(dá)22.5億美元,
2024年2月份,日月光宣布將投資約21億元新臺(tái)幣(約合4.79億元人民幣)收購(gòu)英飛凌位于菲律賓和韓國(guó)的兩座后段封測(cè)廠。日月光投控營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)吳田玉在6月的股東大會(huì)上指出,投控今年大幅增加資本支出,更大比例用于先進(jìn)封裝及智能生產(chǎn),持續(xù)投資智能工廠。日月光首席執(zhí)行官吳田玉此前曾表示,該公司已加大先進(jìn)封裝生產(chǎn)擴(kuò)張力度,并且不排除在日本、美國(guó)或墨西哥建立更多工廠。
7月12日,日月光半導(dǎo)體子公司ISE Labs宣布在加州圣荷西開設(shè)第二個(gè)美國(guó)廠區(qū),ISE Labs新廠區(qū)針對(duì)北美客戶的工程需求進(jìn)行改建,服務(wù)對(duì)象涵蓋人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)(AI/ML)、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS) 和高性能運(yùn)算(HPC) 等新興半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的解決方案開發(fā)廠商。
目前,ISE Labs在弗里蒙特和圣荷西兩地各有一個(gè)測(cè)試廠區(qū)。其中圣荷西新廠區(qū)負(fù)責(zé)可靠性和驗(yàn)證程序,而弗里蒙特廠則是專注于測(cè)試功能。兩地廠區(qū)的營(yíng)運(yùn)空間總面積超過(guò)150,000平方英尺,是北美最大的半導(dǎo)體測(cè)試服務(wù)供應(yīng)商。
先進(jìn)封裝還有新進(jìn)的玩家,例如傳統(tǒng)LCD面板廠商群創(chuàng)光電正在積極轉(zhuǎn)型,將產(chǎn)線升級(jí)改造為FOPLP先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。據(jù)群創(chuàng)董事長(zhǎng)洪進(jìn)揚(yáng)此前透露,群創(chuàng)近年來(lái)在面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)投入的資本支出已達(dá)20億元。富士康旗下的夏普也緊隨其后,布局FOPLP領(lǐng)域。這些舉動(dòng)表明,先進(jìn)封裝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。
寫在最后
無(wú)論面臨何種挑戰(zhàn),各行各業(yè)都在加速向生成式AI的下一階段邁進(jìn)。生成式AI引發(fā)的芯片投資大戰(zhàn),是一場(chǎng)多維度、深層次的產(chǎn)業(yè)競(jìng)賽。這場(chǎng)全球芯片投資大戰(zhàn),不僅將推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)步,也將深刻影響我們的生活和工作方式。