7月，處在2024年中，不僅是上下半年的過渡期，也是整個半導體產業由衰轉盛的過渡期，因為行業正在從2023年的低谷期向上走，根據各大市場研究機構統計和預測，2024上半年依然處于恢復期，下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過渡期的6、7月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產線轉移輪番上演，芯片價格也隨之變化。

晶圓代工轉單加劇

臺積電最新財報顯示，2024年第二季度以客戶總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達到65%，中國大陸市場則急速拉升至16%，與第一季度9%，以及2023年同期12%相比大增，并取代亞太區，成為第二大市場，亞太區域占比降至9%，日本維持6%。

受美國出口政策影響，不少尚未遭受出口管制的中國大陸企業提前下單囤貨，特別是5nm及以下先進制程，產能吃緊，如果不盡快下定的話，再過幾個月恐怕就很難拿到產能了。特別是中國正在積極發展AI，對先進芯片的需求量很大，目前也只有臺積電和三星兩個選擇，臺積電是優先選項。

不止中國大陸訂單，國際芯片大廠訂單也在向臺積電轉移。

很長時間以來，高通一直是三星的五大客戶之一（包括但不限于晶圓代工業務），不過，近兩年高通將大量訂單轉移到臺積電。前一段時間，三星發布的報告顯示，前五大客戶分別是蘋果、德國電信、香港創科、至上電子和Verizon，合計約占三星總營收的13%，高通不在其中，這是高通3年來首次跌出三星客戶的前五名。

此前，高通將大量驍龍系列處理器訂單交給三星代工生產，而現在很大部分已經被臺積電取代了。不過，隨著近期中國智能手機銷量的增長，一些來自中國大陸和中國臺灣的公司訂單填補了高通的空白。

2023年就有報道稱，高通出于對臺積電產能有限的考慮，原打算在2024年開始執行雙代工廠策略，第四代驍龍8一方面采用臺積電N3E制程工藝，另一方面，供應Galaxy系列智能手機的版本采用三星3GAP（SF3）工藝。不過，由于三星3nm制程良率不穩定，產能有限，錯過了不少商機，高通就是其中的大戶。

據悉，高通仍打算在2025年轉向雙代工廠策略，已要求臺積電和三星提供2nm制程芯片樣品，以便做進一步評估。高通希望通過新策略降低SoC的生產成本。

2023年，三星晶圓代工業務贏得了谷歌Tensor G4芯片訂單，之后，谷歌將Tensor G4的生產委托給三星的4nm代工產線，該芯片將搭載在定于2024下半年發布的Pixel 9系列手機上。

不過，7月初，據業內人士透露，臺積電與谷歌近期已進入第五代處理器Tensor G5量產前的流片階段，該處理器將搭載在定于2025年發布的Pixel 10系列手機上。

業內人士表示，Tensor G5將采用臺積電3nm制程工藝生產，預計性能將比Tensor G4大幅提升。

此前，業界只是猜測臺積電與谷歌在Tensor G5上合作的可能性，但最近兩家公司似乎正在進行量產準備，這表明谷歌的晶圓代工合作伙伴關系發生了重大轉變。

據了解，三星的3nm制程產線尚未獲得任何明確的大規模客戶訂單，因此，2024年第一季度，三星晶圓代工的市場份額比上一季度（14%）下降了1個百分點，至13%，同期，臺積電的市場份額從61%上升至62%。

不止臺積電和三星掌控的最先進制程晶圓代工市場在轉單，相對成熟（28nm以下）和成熟制程（28nm以上）市場轉單也在加劇，受惠的廠商主要包括聯電、力積電、世界先進等。下半年，預估聯電的產能利用率將落在70%~75%之間，力積電12英寸廠產能利用率可達85%~90%，世界先進產能利用率將提升至75%以上，均優于預期。

集邦研究分析，這波轉單潮，主要來自高通、芯源系統（MPS）等廠商，賽普拉斯（Cypress，已經被英飛凌收購）、兆易創新等廠商也向力積電洽談編碼型閃存投產計劃，聯電憑借產地多元布局優勢，吸引德州儀器（TI）、英飛凌、微芯（Microchip）等大廠洽談長期合作計劃。

力積電表示，為順應供應鏈調整及中國大陸晶圓廠競爭，該公司正在調整產品線投資策略，試著迎接有轉單需求的大客戶，積極開發先進BCD制程，用于電源管理IC生產，希望爭取物聯網及重要的AI、高性能計算（HPC）、電動車等高增長市場商機。

TechInsights預計，受益于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，以及AI數據中心對NAND閃存使用量的增長，2024下半年，全球晶圓廠（包括邏輯和存儲芯片）產能利用率有望達到80%左右。

存儲市場的強勁復蘇也為晶圓代工市場提供了穩定的訂單來源，Omdia預測，2024年全球純晶圓代工行業收入將增長16.4%。此外，AI加速器領域的市場規模將在2025年超過1500億美元。

晶圓代工價格走向

由于消費電子、新能源車、通信等應用需求強勁，群智咨詢（Sigmaintell）預計，2024年第二季度，全球28nm、40nm制程晶圓代工產能利用率約90%，28nm代工價格微漲，40nm價格基本持平。相對而言，28nm需求增長動力更明顯，預計第三季度仍有個位數百分比環比上漲空間。

55nm、90nm制程芯片的下游應用主要為消費類電子。由于中國大陸晶圓廠在55nm、90nm制程上積極擴產，相關產能利用率提升并不顯著，群智咨詢預計，2024年第三季度仍在75%-80%之間。由于過去3~4個季度該制程價格降幅較大，從2024年第二季度起，多數晶圓廠在該制程范圍的價格策略以收窄降幅為主，目標是在2024年底止跌。預計第三季度整體價格環比降幅為2%~3%。

得益于消費類電子庫存調整完成，自2024年第一季度起，8英寸晶圓代工廠迎來更多訂單，整體產能利用率平穩回升，但是，第二季度整體產能利用率仍較低，約為60%-65%，預計第三季度可恢復至70%。部分客戶將一部分模擬芯片訂單從中國大陸轉移至其它地區的晶圓代工廠，群智咨詢預計，第三季度中國大陸8英寸晶圓代工廠價格環比降幅在5%左右，中國臺灣地區8英寸晶圓代工價格環比降幅預計為1%-3%。

三星晶圓代工調整了2024年第一季度定價，不僅提供了5%-15%的折扣，還明確表示，可根據訂單量提供更優惠的價格。業界人士分析，三星這波降價，主要是因為當下市場需求沒預期好，另外，就是要靠降價搶臺積電的客戶訂單。

中芯國際預計，隨著芯片制造商提高產能，芯片價格將繼續下降。

中芯國際聯席CEO趙海軍在5月的業績說明會上表示，中芯國際面臨低價競爭，可能導致價值數千萬美元的訂單流失。他表示，芯片平均單價（ASP）每個季度會下降，但不會那么快。他說，12英寸晶圓產能滿載的部分訂單，價格會相對穩定，但標準產品遇到競爭時，中芯國際會順應市場，隨行就市，與客戶一同面對競爭，后續標準產品價格可能會進一步下降。

不同于成熟制程的降價競爭，最先進制程（5nm及以下）產能則供不應求，漲價聲四起。

此前有報道稱，臺積電打算提高2025年先進制程及先進封裝的訂單報價，其中，3nm制程的報價將提高5%以上，CoWoS封裝的報價也將提高10%~20%。傳聞臺積電的3nm漲價方案已得到客戶同意，雙方達成了新協議，以確保穩定的供應。

有業內人士透露，面向人工智能和高性能計算客戶的4nm、5nm制程可能會漲價11%，也就是說，4nm晶圓的價格從18000美元提高到20000美元，這意味著相比2021年的報價漲了至少25%。有分析師預計，2025年，3nm制程的價格將平均上漲4%，主要取決于訂單的數量和具體協議條款，目前的晶圓報價在20000美元以上。

不過，像16nm這樣相對成熟的制程產能充裕，不太可能漲價。有消息稱，目前，臺積電6nm、7nm產能利用率已經跌至60%，明年不但不漲價，甚至還會降價，幅度在10%左右。

內存芯片產能大挪移

在過去半年多時間內，爭奪英偉達HBM內存訂單成為國際存儲芯片三巨頭的大事，由于SK海力士早早布局，因此在競爭中處于明顯優勢地位，這給三星帶來了很大壓力，為了拿到相關訂單，三星甚至更換了業務高層負責人。

三星的努力似乎得到了回報，據悉，其HBM3e內存已經通過了英偉達認證，預計第三季度開始供貨。為了保障供貨，三星采取了大動作，將現有DRAM總產能的30%劃撥給了HBM3e。

7月16日，有消息稱，三星平澤P4廠第二期(PH2)產線建設將暫停，P4廠主要包括DRAM和晶圓代工產線。按照原計劃，三星將先建設PH1內存產線，然后建設PH2代工產線，之后依次建設用于生產DRAM產品的PH3內存線和PH4代工線。現在，三星決定暫時停工PH2，優先建設PH3產線。

三星是全球存儲芯片龍頭，將30%內存產能劃撥給HBM3e，算下來，全球現有13%的DRAM產能不再生產DDR4或DDR5等，很可能會引發連鎖反應，特別是在消費類電子產品旺季來臨之際，在供給銳減、需求大增的情況下，相關DRAM芯片有望漲價。

作為全球DDR4、DDR5生產商中的主要企業，南亞科有望在這一波變化中受惠，該公司總座李培瑛指出，HBM、DDR5供不應求，有望抬升DRAM市況，預計南亞科下半年的產能利用率將上升，以滿足市場需求。李培瑛認為，在三大原廠都忙于生產HBM的情況下，將減少全球DDR4產出，那時，南亞科有把握調漲DDR4價格，在供不應求的大背景下，南亞科會有較大的議價能力。

威剛董事長陳立白表示，目前，存儲芯片大廠的產能配置以毛利率最高的HBM為優先項，之后才是一般用途的DDR5和DDR4，這樣，DDR5價格大概率會繼續上漲，DDR4去庫存也將告一段落，價格將從8月開始進入第二波上漲周期，漲幅至少30%。

十銓公司表示，由于DDR5原廠的供給量不足，價格仍會上漲。

在所有芯片細分領域，存儲器周期波動最大，在上行周期的頂部，2010年、2017年存儲器銷售額同比增長分別為55%、61%，在下行周期的底部，2002年、2019年存儲器銷售額同比下降了30%、33%。DRAM的上一輪周期在2017年12月左右見頂，在2019年12月觸底，下行周期持續時間在兩年左右，隨后經歷了一年半左右的上行周期，上一輪周期持續了3-4年。本輪DRAM周期在2021年4月見頂，在2023年9月觸底，10月價格反彈。本輪下行周期持續時間已達兩年半，新一輪的DRAM上行周期已經開始。

從2024全年的發展趨勢來看，全球內存市場一直在向上走，價格也在上漲，這方面，各大市場研究機構都給出了統計和預測數據，各家之間沒有實質性差異。在這樣的背景下，三星將很大一部分產能劃撥給HBM內存，是對全球存儲芯片市場的再一次攪動，會起到推波助瀾的作用，它會進一步強化全球存儲芯片市場自2022~2023年表現低迷以來，觸底反彈的增長態勢。