阿斯麥向英特爾運(yùn)送全球首臺(tái)新型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)。
連日來(lái)，與尖端半導(dǎo)體制造有關(guān)的消息不斷傳出。《日本經(jīng)濟(jì)新聞》25日?qǐng)?bào)道稱，日本佳能公司的納米壓印技術(shù)有望制造2納米半導(dǎo)體。當(dāng)?shù)貢r(shí)間21日，全球最大光刻機(jī)制造商荷蘭阿斯麥向美國(guó)英特爾公司運(yùn)送全球首臺(tái)新型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High NA EUV）。圍繞尖端芯片制造設(shè)備的爭(zhēng)奪戰(zhàn)正式開始，全球芯片制造商間的激烈競(jìng)爭(zhēng)又添新變量。
2納米制造設(shè)備來(lái)了
據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，佳能半導(dǎo)體機(jī)器業(yè)務(wù)部長(zhǎng)巖本和德介紹了一種搭載自主“納米壓印”技術(shù)的設(shè)備，有望可以制造2納米半導(dǎo)體。報(bào)道稱，與利用強(qiáng)光在晶圓上燒刻電路不同，納米壓印可以像印章一樣壓印原版，由于其低成本和低耗電量的特性，“備受半導(dǎo)體廠商期待”。
在此之前，阿斯麥在社交媒體平臺(tái)X上宣布，他們已向英特爾公司交付了首臺(tái)新型High NA EUV。英國(guó)路透社報(bào)道稱，高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)每臺(tái)成本超3億美元，體積比卡車還大，預(yù)計(jì)將從2026年或2027年起用于商業(yè)芯片制造，可以生產(chǎn)“更小、更快的半導(dǎo)體”。
半導(dǎo)體專家、CHIP奇譜科技總編羅國(guó)昭25日在接受《環(huán)球時(shí)報(bào)》記者采訪時(shí)表示，高數(shù)值孔徑是一個(gè)面向未來(lái)的技術(shù)，在光刻機(jī)的技術(shù)發(fā)展中非常關(guān)鍵。它突破了光刻機(jī)既有系統(tǒng)的技術(shù)限制，可在光刻機(jī)上實(shí)現(xiàn)2納米乃至更先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。這一技術(shù)的引入將硅基芯片的生命周期繼續(xù)延伸，此前業(yè)界普遍預(yù)計(jì)，硅基芯片將在2納米時(shí)代終結(jié)，更先進(jìn)芯片將轉(zhuǎn)向光子或碳基。這項(xiàng)技術(shù)將有效延長(zhǎng)EUV（極紫外光刻）光源技術(shù)的生命周期，繼續(xù)降低刻蝕光波長(zhǎng)的緊迫性，未來(lái)可依靠高數(shù)值孔徑技術(shù)，在現(xiàn)有光源技術(shù)上實(shí)現(xiàn)2納米制程及以上芯片的生產(chǎn)。
開搶關(guān)鍵機(jī)器
2納米芯片已成為全球芯片制造商的最新“戰(zhàn)場(chǎng)”。英特爾此前已表示將于2025年量產(chǎn)2納米芯片，最近又宣布將這一日程提前至2024年，三星預(yù)計(jì)2025年開始投產(chǎn)2納米芯片，臺(tái)積電預(yù)計(jì)也將在2025年開始量產(chǎn)2納米芯片。
羅國(guó)昭表示，隨著阿斯麥新款光刻機(jī)的推出，原本就激烈的“三方大戰(zhàn)”將變得更加撲朔迷離，畫面會(huì)更加“好玩兒”。路透社報(bào)道稱，英特爾2022年訂購(gòu)了第一臺(tái)High NA EUV，臺(tái)積電、三星、SK海力士和美光等芯片制造商也都從阿斯麥處訂購(gòu)了這款光刻機(jī)。
臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道稱，臺(tái)積電、三星、英特爾在2納米先進(jìn)制程展開大比拼之際，新一波“搶關(guān)鍵機(jī)器大戰(zhàn)”同步開打。阿斯麥計(jì)劃明年先生產(chǎn)10臺(tái)High NA EUV，英特爾搶下6臺(tái)，暫時(shí)領(lǐng)先，三星正極力拉攏阿斯麥，這都給臺(tái)積電帶來(lái)壓力。
有分析認(rèn)為，阿斯麥推出這項(xiàng)新技術(shù)的目的是助力英特爾和臺(tái)積電等芯片制造商攻克2納米及以下節(jié)點(diǎn)的芯片制造技術(shù)，同時(shí)讓整個(gè)芯片行業(yè)保持對(duì)其高端光刻機(jī)的依賴。歐洲IT資訊網(wǎng)站分析稱，阿斯麥的High NA EUV是生產(chǎn)最先進(jìn)芯片的唯一選擇，英特爾作為第一個(gè)收到該光刻機(jī)的客戶，“終于可以夢(mèng)想著再次擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手”。
半導(dǎo)體咨詢公司Semiconductor Advisors的分析師羅伯特·邁爾表示，納米壓印技術(shù)是芯片行業(yè)一直尋找的“不存在的替代品”，佳能在很多年前就已經(jīng)開始探索納米壓印技術(shù)，但從未真正獲得重大突破。討論比較多的、被認(rèn)為可以從阿斯麥“嘴里搶食”的定向自組裝（DSA）、納米壓印等技術(shù)目前也無(wú)法替代光刻。
“可以齊頭并進(jìn)的新起點(diǎn)”
羅國(guó)昭告訴記者，臺(tái)積電目前處于領(lǐng)先地位，3納米、4納米和5納米等先進(jìn)制程芯片在其營(yíng)收中的收入占大頭，獨(dú)攬全球代工份額。因此，在引入阿斯麥最新光刻機(jī)這一問(wèn)題上，臺(tái)積電實(shí)際上并不是最著急的。充分挖掘已有市場(chǎng)，再向2納米過(guò)渡才符合臺(tái)積電的利益最大化原則。
進(jìn)入10納米后，英特爾在技術(shù)制程上發(fā)展緩慢，臺(tái)積電在7納米、5納米上的突破迫使其提出了“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃。在近幾年連續(xù)突破Intel 7（10納米制程）、Intel 4（7納米制程）、Intel 3（4納米制程）后，Intel 20A和18A等后續(xù)技術(shù)推進(jìn)速度非常快。羅國(guó)昭表示，此次英特爾率先引入新機(jī)器，有利于其在2025年實(shí)現(xiàn)Intel 20A（等效2納米制程）芯片的商業(yè)化，從而在時(shí)點(diǎn)上趕上甚至超越臺(tái)積電。
不過(guò)也有業(yè)界分析師認(rèn)為，購(gòu)買6臺(tái)High NA EUV的支出高達(dá)21億—24億美元，這對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常大的賭注，如果不孤注一擲，英特爾將落后于臺(tái)積電。分析認(rèn)為，幸運(yùn)的話，最好的情況是英特爾可與臺(tái)積電“平起平坐”。
歐洲科技網(wǎng)站Techzine報(bào)道稱，英特爾自己的產(chǎn)品本身就是一種極具吸引力的人工智能產(chǎn)品，而其與英偉達(dá)等公司簽訂的利潤(rùn)豐厚的合同，將為英特爾“創(chuàng)造一個(gè)非常理想的局面”。
至于三星，羅國(guó)昭表示，該公司目前最大、也是最現(xiàn)實(shí)的問(wèn)題并不在技術(shù)上，而是在獲得全球客戶的信任上——如何獲得一定的市場(chǎng)占有率、如何站穩(wěn)腳跟是三星的當(dāng)務(wù)之急。不過(guò)，阿斯麥新機(jī)器的出現(xiàn)為原本競(jìng)爭(zhēng)激烈的這三家芯片制造商提供了一個(gè)看上去可以齊頭并進(jìn)的新起點(diǎn)，所有的競(jìng)爭(zhēng)似乎可以在這個(gè)新平臺(tái)上“重新來(lái)過(guò)”。
