三星電子近日宣布,全球首先量產(chǎn)采用環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm工藝節(jié)點(diǎn),同時(shí)韓媒稱三星與ASML就采購(gòu)高數(shù)值孔徑 (NA) EUV光刻設(shè)備已簽署協(xié)議。
三星宣布,首次實(shí)施的GAA技術(shù)多橋通道FET(MBCFETTM) 突破了FinFET的性能限制,通過(guò)降低電源電壓水平來(lái)提高功率效率,同時(shí)通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)電流能力來(lái)提高性能。
與5nm工藝相比,第一代3nm工藝最高可降低45%的功耗,提升23%的性能,減少16%的面積,而第二代3nm工藝則是最高可降低50%的功耗,性能提升30%,面積減少35%。
與此同時(shí),韓媒公布了三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕6月赴歐成果,三星與ASML簽署了一項(xiàng)協(xié)議,將引進(jìn)今年將生產(chǎn)的EUV光刻設(shè)備和預(yù)計(jì)明年推出的最新款高數(shù)值孔徑 (High-NA) EUV光刻機(jī)。
與現(xiàn)有的EUV光刻設(shè)備相比,High-NA EUV光刻設(shè)備可以雕刻更精細(xì)的電路,被認(rèn)為是游戲規(guī)則的改變者,將決定3nm以下工藝的市場(chǎng)格局。
同時(shí),目前0.55 NA EUV光刻設(shè)備的單價(jià)估計(jì)為5000億韓元(約合26億元人民幣),售價(jià)高達(dá)現(xiàn)有EUV光刻設(shè)備的兩倍。
今年早些時(shí)候,英特爾宣布已簽署合同,購(gòu)買5臺(tái)這種設(shè)備,用于2025年生產(chǎn)1.8nm芯片。臺(tái)積電也在6 月16日公開(kāi)表示,將在2024年全球首次將0.55 NA EUV光刻設(shè)備引入其工藝。
報(bào)道還指出,李在镕歐洲此行的目的除確保下一代High-NA EUV光刻設(shè)備合作外,還在爭(zhēng)取目前正在生產(chǎn)的新一代EUV設(shè)備的產(chǎn)能。據(jù)悉,ASML今年只能生產(chǎn)50臺(tái)左右的EUV設(shè)備,交貨周期為18個(gè)月。
據(jù)報(bào)道,三星電子已獲得計(jì)劃于今年生產(chǎn)的55臺(tái)EUV光刻設(shè)備中的18臺(tái),這意味著該公司今年僅在EUV光刻設(shè)備上就將投資超過(guò)4萬(wàn)億韓元(約合208億元人民幣)。