三星電子近日宣布,全球首先量產采用環柵 (GAA) 晶體管架構的3nm工藝節點,同時韓媒稱三星與ASML就采購高數值孔徑 (NA) EUV光刻設備已簽署協議。
三星宣布,首次實施的GAA技術多橋通道FET(MBCFETTM) 突破了FinFET的性能限制,通過降低電源電壓水平來提高功率效率,同時通過增加驅動電流能力來提高性能。
與5nm工藝相比,第一代3nm工藝最高可降低45%的功耗,提升23%的性能,減少16%的面積,而第二代3nm工藝則是最高可降低50%的功耗,性能提升30%,面積減少35%。
與此同時,韓媒公布了三星電子副會長李在镕6月赴歐成果,三星與ASML簽署了一項協議,將引進今年將生產的EUV光刻設備和預計明年推出的最新款高數值孔徑 (High-NA) EUV光刻機。
與現有的EUV光刻設備相比,High-NA EUV光刻設備可以雕刻更精細的電路,被認為是游戲規則的改變者,將決定3nm以下工藝的市場格局。
同時,目前0.55 NA EUV光刻設備的單價估計為5000億韓元(約合26億元人民幣),售價高達現有EUV光刻設備的兩倍。
今年早些時候,英特爾宣布已簽署合同,購買5臺這種設備,用于2025年生產1.8nm芯片。臺積電也在6 月16日公開表示,將在2024年全球首次將0.55 NA EUV光刻設備引入其工藝。
報道還指出,李在镕歐洲此行的目的除確保下一代High-NA EUV光刻設備合作外,還在爭取目前正在生產的新一代EUV設備的產能。據悉,ASML今年只能生產50臺左右的EUV設備,交貨周期為18個月。
據報道,三星電子已獲得計劃于今年生產的55臺EUV光刻設備中的18臺,這意味著該公司今年僅在EUV光刻設備上就將投資超過4萬億韓元(約合208億元人民幣)。